Метод  APT (Atom Probe Tomography) позволяет проводить химический анализ на атомарном уровне образцов металлов и полупроводников.  Метод использует послойное распыление образца-иглы с последующим  масс-спектрографическим анализом вылетающих ионов и детектированием местоположения  вылета иона. В дальнейшем, на ЭВМ, можно реконструировать 3D изображение распылённой иглы. При этом, типичный исследуемый объем составляет сотни тысяч кубических нанометров.

Такой метод  дает возможность исследовать локальные дефекты, преципитаты, карбиды и другие включения в металлах (полупроводников). Кроме качественного анализа,  метод позволяет проводить количественные оценки плотности дефектов в образце, их химический состав, размер и др.

Также, метод уже хорошо зарекомендовал себя для исследования MOSFET  транзисторов, диодов и светодиодов и других полупроводниковых устройств.

Технические характеристики LEAP 4000XHR

  • Температура образца: 20-80К
  • Давление в исследуемой камере: ~5∙10-11 тора
  • Напряжение на образце (типичное): 1,5÷8 кВ
  • Необходимая проводимость образца: >102S/см

 

Яндекс.Метрика

Created by Lexx