Экспериментальная база Оже-спектроскопия

Метод Оже-электронной спектроскопии (ОЭС) позволяет получить информацию об элементном и химическом составе поверхности исследуемого материала с высокой локальностью и информационной глубиной в несколько атомных монослоев. При использовании методики производится регистрация и анализ спектра Оже-электронов, возбуждаемых на поверхности исследуемого материала пучком электронов (в общем случае – пучком частиц, энергия которых достаточна для возбуждения Оже-перехода, в т.ч. рентгеновским излучением, ионным пучком).

Методика является оптимальным инструментом для исследования межзеренных сегрегаций, возникающих в конструкционных материалах под действием эксплуатационных факторов (длительная температурная выдержка, облучение). В частности, ОЭС используется для исследования отпускной хрупкости в облучаемых и необлучаемых элементах корпусов реакторов ВВЭР, что особенно актуально в связи с планируемым продлением срока службы реакторов ВВЭР-1000 до 60 лет и более.

Исследование поверхностей разрушения образцов корпусных сталей методом ОЭС позволяет, за счет локальности, обеспечиваемой источником электронов с полевой эмиссией, получать данные не только о поверхности межзеренного разрушения но и о наноразмерных элементах тонкой структуры (например мелких карбидах), способных повлиять на характер разрушения материала и его механические характеристики.
Методика также эффективно применяется в микроэлектронике, при исследованиях коррозии и др.

Для Оже-анализа применятеся сканирующий Оже-нанозонд PHI 700 (производство Physical Electronics, Inc., США-Япония).

Прибор оснащен высокочувствительным анализатором типа «цилиндрическое зеркало» с многоканальным детектором вторичных электронов и расположенной внутри анализатора коаксиальной электронной пушкой с источником электронов с полевой эмиссией, позволяющей получать сфокусированный пучок электронов с энергией до 20 кЭв. Пространственное разрешение при получении Оже-спектра – не хуже 10 нм (при 20 кВ и токе мишени 1 нА). Прибор оснащен аргоновой ионной пушкой, позволяющей с одной стороны производить сверхтонкое глубинное профилирование поверхности образца, а с другой – получать скорость травления до 100 нм/мин.


 

Яндекс.Метрика

Created by Lexx