Экспериментальная база Сканирующая электронная микроскопия

Применение сканирующей (растровой) электронной микроскопии (СЭМ):
  • Фрактографические исследования структуры поверхности излома образцов (Шарпи, COD, ST и др.)
  • Исследования микроструктур и микротекстур
  • Анализ элементного состава фаз и поверхностных слоев образцов.

    В ИРМТ СЭМ представлена двумя приборами:
  • Zeiss Supra  40 VP
  • Camebax
Zeiss Supra 40 VP – это универсальный автоэмиссионный растровый микроскоп, использующий электронно-оптическую колонну GEMINI 3-го поколения.
Широкие аналитические возможности микроскопа позволяют вести исследования в таких направлениях как изучение и разработка новых материалов, анализ и диагностика отказов, др.

Наряду со стандартными детекторами вторичных электронов In-lens и SE2, прибор оснащен детектором вторичных электронов для режима низкого вакуума (VPSE) и  детектором обратно рассеянных электронов (AsB).
Сверхвысокое разрешение даже при малых ускоряющих напряжениях, ультрачувствительный встроенный детектор вторичных электронов, гарантирующий получение изображений с непревзойденным контрастом, позволяют на высоком уровне проводить фрактографические исследования поверхности материалов.

Большая рабочая камера SUPRA 40VP специально адаптирована для подключения практически любых из известных систем и приставок. Аналитические возможности микроскопа расширены дополнительными приставками.

Система для рентгеновского микроанализа Oxford Instruments INCA, обеспечивает проведение надежного качественного и количественного анализа элементного состава и позволяет:
  • автоматически определять все элементы в спектре в процессе накопления, начиная с бора
  • обрабатывать спектр с использованием цифровой фильтрации
  • автоматически учитывать влияние элементов из напыленного слоя.
Использования эталонов и оптимизации профилей элементов обеспечивают наиболее точный количественный анализ сложных соединений.

Микроскоп оснащен системой HKL Channel 5 для изучения   кристаллических материалов методом дифракции обратно рассеянных электронов. (EBSD) .  
Метод дифракции обратно рассеянных электронов используется при изучении широкого круга кристаллических материалов для исследования микроструктур и микротекстур, ориентации кристаллитов. В комбинации с рентгеновским микроанализом метод EBSD можно использовать для идентификации неизвестных фаз.


 

Яндекс.Метрика

Created by Lexx