Экспериментальная база Просвечивающая электронная микроскопия

Метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет изучать внутреннюю микро- и нано-структуру исследуемых материалов, в частности:
  • определять тип и параметры кристаллической решетки матрицы и фаз путем анализа дифракционных картин; полученных с площади образца от десятков микрометров до нескольких нанометров;
  • определять ориентационные соотношения между фазой и матрицей;
  • изучать строение границ зерен;
  • определять кристаллографическую ориентацию отдельных зерен, субзерен;
  • определять углы разориентировки между зернами, субзернами;
  • определять плоскости залегания дефектов кристаллического строения;
  • изучать тип, плотность и распределение дислокаций;
  • изучать процессы структурных и фазовых превращений в материалах в диапазоне температур от -190оС до 1000оС;
  • изучать влияние на структуру конструкционных материалов технологических факторов (прокатки, ковки, шлифовки, сварки и т.д.);
  • определять локальный химический состав материалов, строить карты распределения химических элементов на интересующих участках;
  • производить количественный анализ объемной плотности исследуемых объектов микроструктуры (дефектов кристаллической решетки, пор, наноразмерных включений и т.п.).
ПЭМ Titan™ 80-300
Titan™ 80-300 — это новое поколение просвечивающих микроскопов, работающих в диапазоне 80 — 300 кВ.
Благодаря стабильности, надежности технических характеристик и простоте в использовании, Titan является новым шагом в истории микроскопии, позволяющем совершить новые открытия при исследовании структуры и свойств постоянно уменьшающихся объектов.
  
Основные методики
  • Просвечивающая микроскопия высокого разрешения (HR-TEM)
  • Сканирующая просвечивающая микроскопия высокого разрешения(HR-STEM)
  • Спектроскопия энергетических потерь электронов (EELS)
  • Анализ тонкой структуры краев поглощения элементов (ELNES)
  • Построение фильтрованных по энергии изображений в просвечивающем режиме (EFTEM)
  • Рентгеновская энерго-дисперсионная спектроскопия (EDS)
Cпектроскопия энергетических потерь электронов (EELS)
Спектроскопия энергетических потерь электронов (EELS) основана на анализе энергетического спектра неупруго рассеянных электронов, прошедших через образец. Данная методика позволяет :
  • Проводить качественный и количественный элементный анализ ( в отличие от EDX, легко идентифицируются элементы с малыми атомными номерами: водород, кислород, азот, углерод)
  • Измерять толщину образца на всей площади просвечиваемого участка
 
 
Рентгеновская энерго-дисперсионная спектроскопия (EDX)
Рентгеновская энерго-дисперсионная микроскопия основана на анализе характеристического рентгеновского излучения атомов (в диапазоне энергий до 40 кэВ), возбужденных под действием падающего пучка электронов.
Даная методика позволяет проводить анализ элементов от углерода до урана, но более удобна для изучения химических элементов с большими атомными номерами.
 
Технические характеристики Titan

Разрешение в режимах TEM, STEM при энергии электронов 300 кэВ
0,14 нм
Диапазон энергий электронов
80-300 кэВ
Разрешение спектрометра энергетических потерь
0,1 эВ

 

Яндекс.Метрика

Created by Lexx